Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA08N100D2

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA08N100D2

IXTA08N100D2 Hakkında

IXTA08N100D2, Littelfuse tarafından üretilen 1000V N-Channel Depletion Mode MOSFET transistörüdür. TO-263 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 800mA sürekli dren akımı ve 21Ω maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. ±20V kapı gerilimi aralığında çalışabilen transistör, 60W maksimum güç tüketimine ve -55°C ile +150°C arasında geniş sıcaklık desteğine sahiptir. Yüksek gerilim endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları ve RF amplifikatörlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21Ohm @ 400mA, 0V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok