Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA06N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA06N120P

IXTA06N120P-TRL Hakkında

IXTA06N120P-TRL, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 600mA sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç kaynakları, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek gerilim DC-DC dönüştürücülerinde tercih edilir. 34Ω maksimum drain-source direnci (10V gate geriliminde) ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. 42W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal tasarım esnekliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 236 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok