Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA06N120P

MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA06N120P

IXTA06N120P Hakkında

IXTA06N120P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken elemandır. 600mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 32Ohm maksimum on-direnci (Rds On) ile karakterize edilir. TO-263 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, güç dönüştürme, anahtarlama devreleri, invertör uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 13.3nC gate charge ve düşük input capacitance (270pF) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok