Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA02N250HV

MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA02N250HV

IXTA02N250HV Hakkında

IXTA02N250HV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-channel MOSFET transistörüdür. 2500V drain-source gerilim (Vdss) ile ultra yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 200mA sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri, yüksek voltaj anahtarlama devreleri, enerji dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi, 450Ω maksimum Rds(on) değeri ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 2500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 116 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450Ohm @ 50mA, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok