Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFY4N60P3

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IXFY4N60P3

IXFY4N60P3 Hakkında

IXFY4N60P3, Littelfuse tarafından üretilen 600V 4A N-channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 2.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±30V gate gerilim aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 114W maksimum güç yayınım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 6.9nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemini mümkün kılar. Ürün hali hazırda üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok