Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFX32N90P

MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXFX32N90P

IXFX32N90P Hakkında

IXFX32N90P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilimi ve 32A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, ±30V gate gerilimini destekler ve 300mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 10V gate sürüş geriliminde 215nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel konvertörler, inverterler, güç beslemeleri ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 960W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetim gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package PLUS247™-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok