Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFV12N80P

MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IXFV12N80P

IXFV12N80P Hakkında

IXFV12N80P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücüleri, inverterler, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yer alır. 10V gate sürme voltajında 850mOhm on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 360W maksimum güç saçabilme kapasitesi ile tasarlanmıştır. Gate yükü 51nC olup hızlı anahtarlama operasyonları için uygundur. Ürün tipi MOSFET (Metal Oxide) teknolojisi kullanmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package PLUS220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok