Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFT9N80Q
MOSFET N-CH 800V 9A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFT9N80Q
IXFT9N80Q Hakkında
IXFT9N80Q, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu transistör, 1.1Ω maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 56nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, inverterler, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok