Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFT50N50P3

MOSFET N-CH 500V 50A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXFT50N50P

IXFT50N50P3 Hakkında

IXFT50N50P3, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, inverterler, UPS sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 120mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) ile verimli güç iletimini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 960W güç yayabilir. 10V drive voltajında optimize edilmiş tasarımı, kontrol devrelerinin basitleştirilmesini mümkün kılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4335 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok