Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFT4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFT4N100Q
IXFT4N100Q Hakkında
IXFT4N100Q, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilim kapasitesi ve 4A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-268 paketindeki bu transistör, endüstriyel motor kontrol devreleri, AC-DC konvertörler, enerji yönetim sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 3Ω (10V gate geriliminde) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. ±20V maksimum gate gerilim ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok