Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFT30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFT30N60P
IXFT30N60P Hakkında
IXFT30N60P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan transistör, 240mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kondüktans kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç dönüştürücüler, invertörler, şarj cihazları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak uygulanır. 500W maksimum güç dissipasyonu ve 82nC gate charge karakteristikleri hızlı komütasyon ve verimli kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok