Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFT23N80Q

MOSFET N-CH 800V 23A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXFT23N80Q

IXFT23N80Q Hakkında

IXFT23N80Q, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-268AA paketlemesiyle yüksek güç disipasyonu (500W) sağlayan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 420mOhm RDS(on) değeri düşük kayıplar ve verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok