Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFT23N60Q

MOSFET N-CH 600V 23A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXFT23N60Q

IXFT23N60Q Hakkında

IXFT23N60Q, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 320mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlayan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 400W maksimum güç tüketebilir. Gate charge değeri 90nC ve düşük input kapasitansi (3300pF) hızlı kontrol sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok