Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFT20N100P
IXFT20N100P Hakkında
IXFT20N100P, Littelfuse tarafından üretilen 1000V N-Channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 20A drain akımı ve 570mΩ on-state direnci ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-268AA paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüşüm devreleri, invertörler, kaynak cihazları ve yüksek voltaj DC-DC konvertörlerinde anahtarlama elemanı olarak işlev görebilir. ±30V gate gerilimi toleransı ve -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur. 660W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile termal yönetim kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 660W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 570mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok