Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFT18N90P

MOSFET N-CH 900V 18A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXFT18N90P

IXFT18N90P Hakkında

IXFT18N90P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilim ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda yer alan yüksek voltaj denetim devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 10V sürüş geriliminde 600mΩ maksimum Rds(on) değeri ve 97nC kapı yükü, verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 540W maksimum güç saçıması desteği ile endüstriyel ortamlara uyarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5230 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok