Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFT18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFT18N100Q3
IXFT18N100Q3 Hakkında
IXFT18N100Q3, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source gerilim ve 18A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10V drive voltajında 660mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek voltaj koruma uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaza maksimum 830W güç yayabilmesi onu verimli isı yönetimine ihtiyaç duyulan tasarımlar için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4890 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 830W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok