Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFT16N120P
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFT16N120P
IXFT16N120P Hakkında
IXFT16N120P, Littelfuse tarafından üretilen 1200V N-Channel MOSFET transistörüdür. 16A sürekli drain akımı ve 950mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, ±30V gate gerilim aralığında çalışabilir ve -55°C ile 150°C arasında işletme yapabilir. Yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, invertörlerde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilen bir transistördür. 120nC gate yükü ve düşük input kapasitansi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 660W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok