Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFT15N100Q

MOSFET N-CH 1000V 15A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXFT15N100Q

IXFT15N100Q Hakkında

IXFT15N100Q, Littelfuse tarafından üretilen 1000V/15A N-Channel MOSFET'tir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında açma-kapama kontrolü için tasarlanmıştır. 700mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını azaltır. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devrelerine ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarına uygun. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında, 360W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle güvenilir performans sunar. Gate charge 170nC ile hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok