Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFT12N90Q
MOSFET N-CH 900V 12A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFT12N90Q
IXFT12N90Q Hakkında
IXFT12N90Q, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilim kapasitesi ve 12A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-268 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 900mΩ maksimum RDS(on) direnci ile verimli anahtarlama sağlar. 300W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile güç elektronikleri, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, düşük kapı yükü (90nC) sayesinde hızlı ve ekonomik sürüş özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok