Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFT12N100Q
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFT12N100Q
IXFT12N100Q Hakkında
IXFT12N100Q, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source voltaj derecelemesi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 1.05Ω maksimum on-direnci sayesinde düşük kayıp işletme sağlar. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, şarj cihazları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel dönüştürücülerde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 300W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 90nC gate charge ve 2900pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. (Eski üretim)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok