Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFT12N100F

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXFT12N100F

IXFT12N100F Hakkında

IXFT12N100F, Littelfuse tarafından üretilen 1000V yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistördür. 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 1.05Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-268 (D³Pak) paketinde sunulan bu komponen, anahtarlama güç kaynakları, inverter devreleri, motor sürücüleri ve yüksek voltaj uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 300W maksimum güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-268
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok