Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFT12N100
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFT12N100
IXFT12N100 Hakkında
IXFT12N100, Littelfuse tarafından üretilen 1000V yüksek voltaj N-channel MOSFET transistörüdür. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 12A sürekli dren akımı ve 1.05Ω maksimum on-state direnci ile karakterizedir. Gate şarjı 155 nC ve threshold voltajı 4.5V'tir. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışan bu MOSFET, güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, endüstriyel motor kontrollerinde ve yüksek voltaj dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan kompanent, 300W güç harcayabilir ve yüksek gerilim uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok