Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFQ8N85X

MOSFET N-CH 850V 8A TO3P

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
IXFQ8N85X

IXFQ8N85X Hakkında

IXFQ8N85X, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 850V drain-source gerilim (Vdss) ve 8A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 850mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 200W güç yayabilme kapasitesiyle, endüstriyel güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörleri ve yüksek gerilim anahtar uygulamalarında kullanılır. 17nC gate charge ve 654pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. Through-hole montaj tipiyle PCB'lere direkt lehimleme yapılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 850 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 654 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok