Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFQ60N60X

MOSFET N-CH 600V 60A TO3P

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
IXFQ60N60X

IXFQ60N60X Hakkında

IXFQ60N60X, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve invertör tasarımlarında yaygın olarak yer alır. 55mΩ maksimum on-direnci ve 890W güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel ve ticari seviye uygulamalar için tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Through-hole montaj türü ile standart PCB üretim yöntemlerine uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok