Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFQ50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFQ50N60X
IXFQ50N60X Hakkında
IXFQ50N60X, Littelfuse tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, 73mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüştürme sağlar. 660W maksimum güç dağılımı kapasitesi, -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 116nC gate charge değeri ile inverter, konvertör, motor kontrol ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 660W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok