Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFQ10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO3P

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
IXFQ10N80P

IXFQ10N80P Hakkında

IXFQ10N80P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu komponentin maksimum 1.1Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen cihaz, güç kaynakları, invertörler, motor kontrolü ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 300W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile zorlu ortamlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok