Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFP4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFP4N100Q
IXFP4N100Q Hakkında
IXFP4N100Q, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilim ve 4A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamaları için uygun bir anahtarlama çözümüdür. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç devrelerinde kullanılır. Gate charge değeri 39nC ile hızlı anahtarlamaya olanak tanır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok