Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3 Hakkında

IXFN82N60Q3, Littelfuse tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drenaj-kaynak gerilimi ve 66A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 75mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-227B (miniBLOC) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 960W maksimum güç yayınlayabilir. ±30V gate gerilimi toleransı ile geniş uygulama yelpazesini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 41A, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok