Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN80N50Q3

MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3 Hakkında

IXFN80N50Q3, Littelfuse tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilim ve 63A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-227-4 miniBLOC paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 65mΩ maksimum on-state direnci ile verimli enerji yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen MOSFET, endüstriyel enerji dönüştürücüleri, motor kontrol devreleeri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 780W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ısı yönetimi gerektiren ağır işlerde kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 63A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok