Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN70N120SK

SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN70N120SK

IXFN70N120SK Hakkında

IXFN70N120SK, Littelfuse tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source voltaj yeteneği ve 68A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 34mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri düşük enerji kaybını sağlar. SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan bu transistör, -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Endüstriyel uygulamalar, inverter devreleri, güç dönüştürücüler ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Aktif olarak tedarik edilen bu bileşen, 20V gate sürücü gerilimi ile kolay entegrasyon imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2790 pF @ 1000 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 15mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok