Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFN50N80Q2
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2 Hakkında
IXFN50N80Q2, Littelfuse tarafından üretilen N-channel güç MOSFET'i olup 800V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SOT-227B (miniBLOC) paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 160mΩ maksimum kapalı durum direnci (RDS on) ile enerji tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 1135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok