Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFN50N120SIC
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC Hakkında
IXFN50N120SIC, Littelfuse tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim kapasitesi ve 47A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-227B (miniBLOC) paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği, endüstriyel sürücüler, yenilenebilir enerji sistemleri ve elektrikli araç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 20V gate sürme gerilimi ile kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok