Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN32N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3 Hakkında

IXFN32N100Q3, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilimi ve 28A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 320mΩ maksimum on-direnci (10V, 16A şartlarında) ve 195nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürücüler, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlanmış güç kaynakları gibi yüksek gerilim/güç uygulamalarında tercih edilir. 780W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve profesyonel uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9940 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok