Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFN30N120P
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFN30N120P
IXFN30N120P Hakkında
IXFN30N120P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. SOT-227B (miniBLOC) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel dönüştürücü devrelerde yer alır. 350mΩ on-state direnci ve 310nC gate yükü ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, 890W güç saçma kapasitesine sahiptir ve ±30V gate gerilim toleransı ile geniş uygulama alanında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 310 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 19000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 890W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok