Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFN30N110P
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFN30N110P
IXFN30N110P Hakkında
IXFN30N110P, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-channel MOSFET transistörüdür. 1100V drain-source gerilim ve 25A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 360mOhm'luk düşük on-state direnci ve 235nC gate charge ile etkin enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 695W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok