Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN27N80

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN27N80

IXFN27N80 Hakkında

IXFN27N80, Littelfuse tarafından üretilen 800V drain-source voltajına dayanıklı N-Channel MOSFET transistördür. 27A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji dönüştürücülerde tercih edilir. 10V gate-source sürüş voltajında 300mOhm iç direnç değeri ile verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 520W maksimum güç yayılması kapasitesi ile ağır yüklü endüstriyel uygulamalar için uygun bir tercih sunmaktadır. (Not: Yeni tasarımlar için önerilmemektedir.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9740 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok