Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN26N100P

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN26N100P

IXFN26N100P Hakkında

IXFN26N100P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V Drain-Source gerilimi ve 23A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), inverterler ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. 390mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında ve maksimum 595W güç tüketimiyle endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11900 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok