Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFN200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFN200N10P
IXFN200N10P Hakkında
IXFN200N10P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 7.5mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-227B (miniBLOC) paketinde sunulur ve şasi montajı için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında 680W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve indüktif yük kontrolünde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 680W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok