Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN170N65X2

MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2 Hakkında

IXFN170N65X2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim yeteneği ve 170A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 13mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. SOT-227-4 (miniBLOC) kasa tipi ile şasi montajı yapılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 434nC gate charge ve 27000pF input capacitance değerleriyle endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü, enerji yönetim sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 27000 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 85A, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok