Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN170N30P

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN170N30P

IXFN170N30P Hakkında

IXFN170N30P, Littelfuse tarafından üretilen bir N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 300V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 138A sürekli dren akımı (Id) ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 18mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. SOT-227B (miniBLOC) paketinde sunulan bu transistör, güç yönetim sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, enerji depolama sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 890W güç tüketme kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 138A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok