Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN170N10

MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN170N10

IXFN170N10 Hakkında

IXFN170N10, Littelfuse tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 170A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, SOT-227B paketinde sunulmaktadır. 10mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 600W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve elektrik dönüştürme devreleri gibi yüksek akım gerektiren endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılır. Minimum 4V gate-source voltajında tetiklenir ve ±20V gate voltajı toleransı vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 515 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok