Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN120N65X2

MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN120N65X2

IXFN120N65X2 Hakkında

IXFN120N65X2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj ve 108A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, SOT-227-4 (miniBLOC) kasa tipinde sunulmaktadır. 24mOhm maksimum gate-source direnci (RdsOn) ile düşük kondüksyon kayıpları sağlar. 225nC gate yükü ve 15500pF input kapasitansı sayesinde hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında 890W güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, switched-mode power supplies (SMPS) ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 108A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15500 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 54A, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok