Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN100N10S2

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2 Hakkında

IXFN100N10S2, Littelfuse tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 100A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan bu bileşen, 15mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. 360W maksimum güç yayılımı kapasitesi ve hızlı anahtarlama özellikleri ile verimli devre tasarımına olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok