Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXFN100N10S1

IXFN100N10S1 Hakkında

IXFN100N10S1, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. SOT-227B miniBLOC paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç kaynakları, inverterler ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 15mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 10V gate sürüş gerilimi ile çalışır ve -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 360W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok