Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFH9N80

MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXFH9N80

IXFH9N80 Hakkında

IXFH9N80, Littelfuse tarafından üretilen 800V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımına sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 pakette sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 900mΩ maksimum on-direnci ile düşük kayıp işletim sağlar. 180W maksimum güç tüketimi kapasitesi sayesinde güç elektronikleri, UPS sistemleri, endüstriyel motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 130nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Through-hole montajıyla devre kartlarına doğrudan lehimlenir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok