Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFH20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFH20N100P
IXFH20N100P Hakkında
IXFH20N100P, Littelfuse tarafından üretilen 1000V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 DIP paketinde sunulan bu bileşen, 20A sürekli drain akımı kapasitesine ve 570mΩ maksimum RDS(ON) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmekte, maksimum 660W güç yayınlayabilmektedir. Gate şarj miktarı 126nC ve input kapasitansi 7300pF olup, ±30V gate-source voltajında güvenli şekilde çalışır. Bu MOSFET, güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 660W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 570mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok