Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFC80N10

MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
ISOPLUS220™
Seri / Aile Numarası
IXFC80N10

IXFC80N10 Hakkında

IXFC80N10, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. ISOPLUS220 paketinde sunulan bu transistör, 12.5mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 230W maksimum güç harcaması ile güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel denetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, 10V drive voltajı ve 180nC gate charge değerleri hızlı ve güvenilir anahtarlama performansı sunar. Through-hole montaj tipine sahip olup, yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case ISOPLUS220™
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package ISOPLUS220™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok