Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFA5N100P

MOSFET N-CH 1000V 5A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXFA5N100P

IXFA5N100P Hakkında

IXFA5N100P, Littelfuse tarafından üretilen 1000V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 5A sürekli dren akımı ve 2.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1000V Vdss derecelendirilmesi, yüksek voltaj endüstriyel uygulamalar, aydınlatma kontrol devreleri, güç kaynakları ve motor sürücülerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında ve 250W maksimum güç tüketim kapasitesiyle güvenilir performans sağlar. 33.4nC gate charge ve 1830pF input capacitance değerleri, hızlı anahtarlama karakteristikleri için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1830 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (IXFA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok