Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFA4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFA4N100Q
IXFA4N100Q Hakkında
IXFA4N100Q, Littelfuse tarafından üretilen 1000V N-channel MOSFET transistördür. TO-263 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4A sürekli drain akımı ve 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 39nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 150W güç dağıtabilir. Güç kaynakları, invertörler, motorlu uygulamalar ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (IXFA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok