Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXFA4N100P
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXFA4N100P
IXFA4N100P Hakkında
IXFA4N100P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source gerilim ve 4A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 3.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük enerji kaybı sunar. 26 nC gate charge ve 1456 pF input capacitance özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1456 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (IXFA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok